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課程名稱 |
金氧半電容元件
MOS CAPACITOR DEVICE |
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開課學期 |
97-1 |
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授課對象 |
電機資訊學院 光電工程學研究所 |
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授課教師 |
胡振國 |
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課號 |
EE5116 |
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課程識別碼 |
921 U7170 |
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班次 |
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學分 |
3 |
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全/半年 |
半年 |
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必/選修 |
選修 |
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上課時間 |
星期四2,3,4(9:10~12:10) |
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上課地點 |
電二229 |
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備註 |
總人數上限：80人 |
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課程簡介影片 |
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核心能力關聯 |
本課程尚未建立核心能力關連 |
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課程大綱
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為確保您我的權利,請尊重智慧財產權及不得非法影印
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課程概述 |
1.PH:金氧半物理 (MOS Physics)
2.CV:金氧半電容特性 (MOS CV Characteristics)
3.IT:界面陷阱特性 (Interface Trap Characteristics)
4.SO:矽及氧化層特性 (Si and Oxide Characteristics)
5.CTL:氧化層電荷控制 (Oxide Charge Control)
6.FET:金氧半場效電晶體 (MOS Field Effect Transistor)
7.TS:電晶體結構 (MOSFET Structures)
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課程目標 |
本課程主要針對現今IC中最主要元件『金氧半元件』做一深入且偏向實際物理結構、特性、及量測方面之介紹，對研究生而言，不論研究領域是何種專長，金氧半元件特性最好能清楚了解，尤其是對將來要從事IC實際工作者更是需要此方面之知識。本課程前半段著重氧化層及矽基材間之問題探討，後半段著重金氧半場效電晶體之相關性，元件結構設計之相關問題亦在最後一章介紹。 |
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課程要求 |
Score Calculation：Home work 30%，Midterm exam 35%，Final exam 35%
Pre Course：Solid-State Electronics
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預期每週課後學習時數 |
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Office Hours |
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指定閱讀 |
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參考書目 |
教科書： 1. E.H.Nicollian and J.R.Brews, 1982, “MOS(Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology”
2. S.Wolf, 1995 “Silicon Processing for the VLSI Era, Volume 3 -The Submicron MOSFET”
3. Y.P.Tsividis, 1988, “Operation and Modeling of The MOS Transistor”
4. IEDM papers
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評量方式
(僅供參考) |
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